Kapat
İndiyum Arsenür (InAs) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 1000± 25 μm, Oryantasyon: 100, EPI-Ready
Teknik Özellikler: Kalite EPI-Ready Boyut (inch) 4” Kalınlık (μm) 1000± 25 Cila Tek Taraf Katkılayıcı Çinko/Sülfür (Zn/S, N Tipi) Oryantasyon
Kapat
İndiyum Arsenür (InAs) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 625± 25 μm, Oryantasyon: 100, EPI-Ready
Teknik Özellikler: Kalite EPI-Ready Boyut (inch) 3” Kalınlık (μm) 625± 25 Cila Tek Taraf Katkılayıcı Çinko/Sülfür (Zn/S, N Type) Oryantasyon
Kapat
İndiyum Arsenür (InAs) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Kalınlık: 500± 25 μm, Oryantasyon: 100, EPI-Ready
Teknik Özellikler: Kalite EPI-Ready Boyut (inch) 2” Kalınlık (μm) 500± 25 Cila Tek Taraf Katkılayıcı Çinko/Sülfür (Zn/S, N Type) Oryantasyon 100
Kapat
Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 380± 15 um, Kaplama: 150 nm
Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama 150 nm Kalınlık (μm) 381± 25 Katkı Bor
Kapat
Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 380± 15 um, Kaplama: 1000 nm
Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama 1000 nm Kalınlık (μm) 380± 15 Katkı Bor
Kapat
Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525± 25 um, Kaplama: 70 nm
Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama 70 nm Kalınlık (μm) 525± 25 Katkı Boron
Kapat
Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525± 25 um, Kaplama: 150 nm
Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama 150 nm Kalınlık (μm) 525± 25 Katkı Bor
Kapat
Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Arsenik Katkılı, Özdirenç: 0,001-0,005 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525± 25 um, Kaplama: 450 nm
Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama 450 nm Kalınlık (μm) 525± 25 Katkı Arsenik
Kapat
Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 3″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 381± 25 um, Kaplama: 150 nm
Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 3” Oryantasyon (100) Kaplama 150 nm Kalınlık (μm) 381± 25 Katkı Bor
Kapat
Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 3″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 381± 25 um, Kaplama: 300 nm
Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 3” Oryantasyon (100) Kaplama 300 nm Kalınlık (μm) 381± 25 Katkı Bor
Kapat
Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8”, Cihaz Kalınlığı: 300 nm, P tipi
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 8” Kalınlık (μm) 725 Özdirenç (ohm.cm) 1-100 Kademe Prime Katkılayıcı P tipi (Bor Katkılı) Oryantasyon 100
Kapat
Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8”, Kalınlık: 725 nm, P tipi
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 8” Kalınlık (μm) 725 Özdirenç (ohm.cm) 1-100 Kademe İlk Katkılayıcı P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon 100
Kapat
Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 6”, Kalınlık: 625 nm, P tipi
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 6” Kalınlık (μm) 625 Özdirenç (ohm.cm) 1-20 Kademe İlk Katkı Maddesi P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon
Kapat
Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 6”, Cihaz Kalınlığı: 340 nm, P tipi
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 6” Kalınlık (μm) 625 Özdirenç (ohm.cm) 1-20 Kademe İlk Katkı Maddesi P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon
Kapat
Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/ Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 725 μm, P tipi (Bor katkılanmış)
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 4” Kalınlık (μm) 725 Özdirenç (ohm.cm) 1-100 Kademe İlk Katkı Maddesi P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon
Kapat
Silikon Karbür ((SiC-6H)-6H) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Kalınlık: 350 μm, Dummy Grade , Verimlilik: 95%
Teknik Özellikler: Kalite Dummy Grade Boyut (inch) 2” Kalınlık (μm) 350 Ra ≤1 Verimlilik 95% Oryantasyon <0001>±0.5° Özdirenç (Ω·cm) 0.02
Kapat
Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 350 μm, Dummy Grade , 4H Alan: 95%
Teknik Özellikler : Kalite Dummy Grade Boyut (inch) 4” Kalınlık (μm) 350 Ra ≤0.3 4H Alan 95% Oryantasyon 4°±0.5° Özdirenç
Kapat
Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 350 μm, Testing Grade , 4H Alan: 95%
Teknik Özellikler: Kalite Testing Grade Boyut (inch) 4” Kalınlık (μm) 350 Ra ≤0.3 4H area 95% Oryantasyon 4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)
Kapat
Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 350 μm, Mechanical Grade , 4H Alan: 100%
Teknik Özellikler: Kalite Production Grade Boyut (inch) 4” Kalınlık (μm) 350 Ra ≤0.3 4H area 100% Oryantasyon 4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)
Kapat
Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 350 μm, Mekanik , 4H Alan: 80%
Teknik Özellikler: Kalite Mechanical Grade Boyut (inch) 4” Kalınlık (μm) 350 Ra ≤1 4H area 80% Oryantasyon 4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)
Kapat
Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 350 μm, Dummy Grade , 4H Alan: 95%
Teknik Özellikler: Kalite Dummy Grade Boyut (inch) 3” Kalınlık (μm) 350 Ra ≤0.3 4H area 95% Oryantasyon 4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)
Kapat
Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 350 μm, Production Grade , 4H Alan: 100%
Teknik Özellikler: Kalite Production Grade Boyut (inch) 3” Kalınlık (μm) 350 Ra ≤0.3 4H area 100% Oryantasyon 4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)
Kapat
Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 350 μm, Research Grade , 4H Alan: 95%
Teknik Özellikler: Kalite Research Grade Boyut (inch) 3” Kalınlık (μm) 350 Ra ≤0.3 4H Alan 95% Oryantasyon 4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)
Kapat
Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 350 μm, Testing Grade , 4H Alan: 95%
Teknik Özellikler: Kalite Testing Grade Boyut (inch) 3” Kalınlık (μm) 350 Ra ≤0.3 4H Alan 95% Oryantasyon 4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)
Kapat
Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Kalınlık: 350 μm, Mechanical Grade , 4H Alan: %80
Teknik Özellikler: Kalite Mechanical Grade Boyut (inch) 2” Kalınlık (μm) 350 Ra ≤1 4H Alan 80% Oryantasyon 4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)
Kapat
Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Kalınlık: 350 μm, Mechanical Grade , 4H Alan: %95
Teknik Özellikler: Kalite Dummy Grade Boyut (inch) 2” Kalınlık (μm) 350 Ra ≤1 4H alan 95% Oryantasyon 4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)
Kapat
Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Kalınlık: 350 μm, Testing Grade , 4H Alan: %80
Teknik Özellikler: Kalite Testing Grade Boyut (inch) 2” Kalınlık (μm) 350 Ra ≤1 4H Alan 80% Oryantasyon 4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)
Kapat
Silikon Karbür ((SiC-4H )-4H) Alttaş/ Wafer, Boyut: 2”, Kalınlık: 350 μm, Production Grade , 4H Area: 1
Teknik Özellikler : Kalite Production Grade Boyut (inch) 2” Kalınlık (μm) 350 Ra ≤0.3 4H area 1 Oryantasyon 4°±0.5° Özdirenç
Kapat
İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Tek Taraf Cilalı, Oryantasyon: 100, Kalınlık: 625± 25 μm, EPI-Ready
Teknik Özellikler : Boyut (inch) 4” Kalınlık (μm) 625± 25 Katkılayıcı Sülfür ( N tipi ) Cila Tek Taraf Devinim
Kapat
İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Tek Taraf Cilalı, Oryantasyon: 100, Kalınlık: 625± 25 μm, Testing Grade
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 4” Kalınlık (μm) 625± 25 Katkılayıcı Sülfür (N tipi) Cila Tek Taraf Devinim （1.5-3.5）E3 Oryantasyon 100
Kapat
İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Tek Taraf Cilalı, Oryantasyon: 111, Kalınlık: 625± 25 μm, EPI-Ready
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 4” Kalınlık (μm) 625± 25 Katkılayıcı Sülfür (N tipi) Cila Single Side Devinim （1.5-3.5）E3 Oryantasyon 111
Kapat
İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Tek Taraf Cilalı, Oryantasyon: 111, Kalınlık: 625 ± 25 μm, Testing Grade
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 4” Kalınlık (μm) 625± 25 Katkılayıcı Sülfür (N tipi) Cila Tek taraflı Devinim （1.5-3.5）E3 Oryantasyon 111
Kapat
İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer , Boyut: 3”, Tek Tarafı Cilalı, Oryantasyon: 100, Kalınlık: 600± 25 μm, EPI-Ready
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 3” Kalınlık (μm) 600± 25 Katkılayıcı Sülfür ( N tipi ) Cila Tek Taraf Devinim （1.5-3.5）E3
Kapat
İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Tek Tarafı Cilalı, Oryantasyon: 100, Kalınlık: 600± 25 μm, EPI-Ready
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 3” Kalınlık (μm) 600± 25 Katkılayıcı Demir ( N tipi ) Cila Tek Taraf Devinim （1.5-3.5）E3
Kapat
İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Tek Tarafı Cilalı, Oryantasyon: 100, Kalınlık: 600± 25 μm, Testing Grade
Teknik Özellikler : Size (inch) 3” Kalınlık (μm) 600± 25 Katkılayıcı Sülfür (N tipi) Cila Tek Taraf Devinim （1.5-3.5）E3 Oryantasyon
Kapat
İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Tek Taraf Cilalı, Oryantasyon: 111, Kalınlık: 600± 25 μm, EPI-Ready
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 3” Kalınlık (μm) 600± 25 Katkılayıcı Sülfür (N tipi) Cila Tek Taraf Devinim （1.5-3.5）E3 Oryantasyon 111