Kapat
İndiyum Arsenür (InAs) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 1000± 25 μm, Oryantasyon: 100, EPI-Ready
Teknik Özellikler: Kalite EPI-Ready Boyut (inch) 4” Kalınlık (μm) 1000± 25 Cila Tek Taraf Katkılayıcı Çinko/Sülfür (Zn/S, N Tipi) Oryantasyon
Kapat
İndiyum Arsenür (InAs) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 625± 25 μm, Oryantasyon: 100, EPI-Ready
Teknik Özellikler: Kalite EPI-Ready Boyut (inch) 3” Kalınlık (μm) 625± 25 Cila Tek Taraf Katkılayıcı Çinko/Sülfür (Zn/S, N Type) Oryantasyon
Kapat
İndiyum Arsenür (InAs) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Kalınlık: 500± 25 μm, Oryantasyon: 100, EPI-Ready
Teknik Özellikler: Kalite EPI-Ready Boyut (inch) 2” Kalınlık (μm) 500± 25 Cila Tek Taraf Katkılayıcı Çinko/Sülfür (Zn/S, N Type) Oryantasyon 100
Kapat
Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 380± 15 um, Kaplama: 150 nm
Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama 150 nm Kalınlık (μm) 381± 25 Katkı Bor
Kapat
Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 380± 15 um, Kaplama: 1000 nm
Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama 1000 nm Kalınlık (μm) 380± 15 Katkı Bor
Kapat
Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525± 25 um, Kaplama: 70 nm
Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama 70 nm Kalınlık (μm) 525± 25 Katkı Boron
Kapat
Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525± 25 um, Kaplama: 150 nm
Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama 150 nm Kalınlık (μm) 525± 25 Katkı Bor
Kapat
Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Arsenik Katkılı, Özdirenç: 0,001-0,005 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525± 25 um, Kaplama: 450 nm
Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama 450 nm Kalınlık (μm) 525± 25 Katkı Arsenik
Kapat
Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 3″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 381± 25 um, Kaplama: 150 nm
Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 3” Oryantasyon (100) Kaplama 150 nm Kalınlık (μm) 381± 25 Katkı Bor
Kapat
Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 3″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 381± 25 um, Kaplama: 300 nm
Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 3” Oryantasyon (100) Kaplama 300 nm Kalınlık (μm) 381± 25 Katkı Bor
Kapat
Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8”, Cihaz Kalınlığı: 300 nm, P tipi
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 8” Kalınlık (μm) 725 Özdirenç (ohm.cm) 1-100 Kademe Prime Katkılayıcı P tipi (Bor Katkılı) Oryantasyon 100
Kapat
Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8”, Kalınlık: 725 nm, P tipi
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 8” Kalınlık (μm) 725 Özdirenç (ohm.cm) 1-100 Kademe İlk Katkılayıcı P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon 100