Gösterilen sonuç sayısı: 5

Show sidebar
Kapat

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8”, Cihaz Kalınlığı: 300 nm, P tipi

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  8” Kalınlık (μm)  725 Özdirenç (ohm.cm)  1-100 Kademe  Prime Katkılayıcı  P tipi (Bor Katkılı) Oryantasyon  100
Kapat

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8”, Kalınlık: 725 nm, P tipi

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  8” Kalınlık (μm)  725 Özdirenç (ohm.cm)  1-100 Kademe  İlk Katkılayıcı  P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon  100
Kapat

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 6”, Kalınlık: 625 nm, P tipi

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  6” Kalınlık (μm)  625 Özdirenç (ohm.cm)  1-20 Kademe  İlk Katkı Maddesi  P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon
Kapat

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 6”, Cihaz Kalınlığı: 340 nm, P tipi

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  6” Kalınlık (μm)  625 Özdirenç (ohm.cm)  1-20 Kademe  İlk Katkı Maddesi  P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon
Kapat

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/ Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 725 μm, P tipi (Bor katkılanmış)

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  725 Özdirenç (ohm.cm)  1-100 Kademe  İlk Katkı Maddesi  P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon