Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8”, Cihaz Kalınlığı: 300 nm, P tipi
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 8” Kalınlık (μm) 725 Özdirenç (ohm.cm) 1-100 Kademe Prime Katkılayıcı P tipi (Bor Katkılı) Oryantasyon 100
Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8”, Kalınlık: 725 nm, P tipi
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 8” Kalınlık (μm) 725 Özdirenç (ohm.cm) 1-100 Kademe İlk Katkılayıcı P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon 100
Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 6”, Kalınlık: 625 nm, P tipi
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 6” Kalınlık (μm) 625 Özdirenç (ohm.cm) 1-20 Kademe İlk Katkı Maddesi P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon
Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 6”, Cihaz Kalınlığı: 340 nm, P tipi
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 6” Kalınlık (μm) 625 Özdirenç (ohm.cm) 1-20 Kademe İlk Katkı Maddesi P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon
Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/ Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 725 μm, P tipi (Bor katkılanmış)
Teknik Özellikler: Boyut (inch) 4” Kalınlık (μm) 725 Özdirenç (ohm.cm) 1-100 Kademe İlk Katkı Maddesi P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon